NAND FLASH 系列

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■ Multilevel Cell technology
■ NAND INTERFACE
    ‐ x8 bus width
■ Supply Voltage
   ‐ Vcc : 2.7V ~ 3.6V
■ Organization
    ‐ (16,384+1,664)bytes x 256pages x 1,060blocks x 2plane
    ‐ Page size : 16,384+1,664bytes
    ‐ Block size : 256pages x (4M+416K) bytes
    ‐ Plane size : (1,024blocks + 36 block)/1plane
■   Page Read / Program Time
    ‐ Random Read Time(tR) : 90 us
    ‐ Sequential Access (tRC/tWC) : 16ns(Min.)
     (Read/Write throughput per pin : up to 50MHz)
    ‐ Page Program Time : 1.5 ms
■   Block Erase
    ‐ Block Erase Time : 5 ms (Typ)
■   Operating Current
    ‐ Page Read : 50 mA (max)
    ‐ Page Program : 50 mA (max)
    ‐ Block Erase: 50 mA (max)
    ‐ Standby (CMOS): 50uA (max)
  ■ Hardware Data Protection
    ‐ Program/Erase locked during power transitions
  ■ Package
    ‐ T‐SOP                  :Size : 12x20mm
    ‐ Pin count            : 48
    

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